MLA661659786
Nuevo producto
Cod: KDY
Origen: USA
Tipo: IPAW60R180P7SXKSA1
Marca: Infineon
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FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 22W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Nota: En el manual el fabricante especifica que en el chip la inscripción es 60S360P7
Foto ilustrativa