Mosfet Chn 900v 9a To3p Fqa9n90 Itytarg

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.3Ohm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds2700 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3

Hoja de datos