Mosfet Chn Irf8707 30v 11a Soic8 Itytarg

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.9mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.35V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)

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