MLA617583829
Nuevo producto
Cod. KDY
Tipo: IPS040N03LGBKMA1
Origen: USA
1 Elemento artículos
Advertencia: ¡Últimos artículos en stock!
Disponible el:
compartir
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.) 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3-11
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak