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MLA655180906
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AO4468
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Fabricante | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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Tipo FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC | 10.5 A (Ta) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5 V, 10 V |
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C | 14 mOhm a 11.6 A, 10 V |
Vgs(th) (máx.) en Id | 3 V a 250 µA |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1200pF @ 15V |
Característica de FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 3.1 W (Ta) |
Temperatura de operación | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaje | Montaje en superficie |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) |