Mosfet Chn P55nf06 Stp55nf06 55nf06 60v 50a Original Usa To220 Itytarg

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Estos MOSFET de potencia se han desarrollado utilizando el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, que está diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Esto hace que los dispositivos sean adecuados para su uso como interruptor primario en convertidores DCDC aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones, y aplicaciones con requisitos de activación de carga de puerta baja.

Tipo FET Tecnología de canal N
MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a fuente Voltaje (Vdss) Corriente de 60 V
- Drenaje continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Máx. Rds encendido, Mín. Rds encendido) 10 V
Rds encendido (Máx.) ) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 27,5 A, 10 V
Vgs (th) (Máx.) @ Id 4 V @ 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Característica -
Disipación de energía (máx.) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Proveedor Paquete de dispositivo TO-220AB
Paquete/caja TO-220-3

Ficha de datos