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Número de Parte: SI2301DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tiempo de elevación (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT23