Mosfet Chp Si2301bds-t1-e3 20v 2.2a Sot23-3 700mw Itytarg

Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100mOhm a 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 950mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 375pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3