Mosfet Chn Irf644 250v 14a To220

Tipo FETCanal N 

Tecnología   MOSFET (óxido de metal)   

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)250V

Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC   14 A (Tc)   

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)  10 V 

Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C  280 mOhm a 8.4 A, 10 V 

Vgs(th) (máx.) en Id   4 V a 250 µA 

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs   68nC @ 10V  

Vgs (máx.)   ±20 V   

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds1300pF @ 25V   

Característica de FET- 

Disipación de potencia (máx.)   125 W (Tc)

Temperatura de operación  -55 °C ~ 150 °C (TJ)  

Tipo de montaje   Orificio pasante   

Paquete del dispositivo del proveedorTO-220AB

Paquete / Caja (carcasa)TO-220-3