MLA662133778
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Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 45V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 230 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3