MLA667560991
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Fabricante STMicroelectronics
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1320pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 163 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3