MLA667560428
Nuevo producto
Cod: KDY
Marca: ST microelectronics
7 Elemento artículos
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Fabricante STMicroelectronics
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1320pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 163 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
IMPORTANTE
Tenga en cuenta que los componentes de reemplazo no son iguales que el original, son solo "reemplazos sugeridos", basados en la similitud de características técnicas. Es responsabilidad del cliente verificar la documentación técnica de ambos componentes para certificar que el componente de reemplazo es apto en su aplicación.