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MLA1121984737
Nuevo producto
Cod: KDY
Origen: USA
Marca Infineon
10 Elemento artículos
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FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 100 V
FET Feature Super Junction
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-FP