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MLA1135079061
Nuevo producto
Cod: KDY
Origen: USA
Tipo: SI4178DY-T1-GE3
Reemp: AO4466
17 Elemento artículos
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FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Reemp: AO4466
IMPORTANTE
Tenga en cuenta que los componentes de reemplazo no son iguales que el original, son solo "reemplazos sugeridos", basados en la similitud de características técnicas. Es responsabilidad del cliente verificar la documentación técnica de ambos componentes para certificar que el componente de reemplazo es apto en su aplicación.