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Cod: KDY
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Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V