Mosfet Chn Ao4576 30v 20a Soic8 Itytarg

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.8 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 951pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)

Datasheet