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KDY STD14NM50NAG
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Fabricante STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 320mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Vgs (máx.) ±25V
Disipación de potencia (Máx.) 90W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 816pF @ 50V