Transistor Igbt 600v 160a 600w To247 Fgh60n60 Usa Itytarg

Transistor Igbt 600v 160a 600w To247 Fgh60n60 Itytarg

IGBT Tope de campo 600 V 120 A 600 W Orificio pasante TO-247-3

Descripción

Utilizando la novedosa tecnología IGBT de parada de campo, la nueva serie de IGBT de segunda generación de parada de campo de ON Semiconductor ofrece el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversores solares, UPS, soldadoras, telecomunicaciones, ESS y PFC donde la baja conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.

Tipo IGBT Tope de campo
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 120 A
Corriente - colector impulsado (Icm) 180 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.5V a 15V, 60A
Potencia - Máx. 600 W
Energía de conmutación 1.26mJ (Encendido), 450µJ (Apagado)
Tipo de entrada Estándar
Carga de compuerta 189 nC
Td (encendido/apagado) a 25ºC 18ns/104ns
Condiciones de prueba 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 39 ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Número de producto base FGH60

Ficha de datos