Hgtg10n120bnd Igbt Npt 1200v 35a 298w To-247 Itytarg

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IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Through Hole TO-247-3

El HGTG10N120BND es un diseño IGBT sin perforación (NPT). Este es un nuevo miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. Los IGBT combinan las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado activo de un transistor bipolar. El IGBT utilizado es el tipo de desarrollo TA49290. El Diodo utilizado es el tipo de desarrollo TA49189. El IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan a frecuencias moderadas donde las bajas pérdidas por conducción son esenciales, como: controles de motores de CA y CC, fuentes de alimentación y controladores para solenoides, relés y contactores. Anteriormente Tipo de desarrollo TA49302.

IGBT Type  NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 35 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80 A
Power - Max 298 W
Input Type Standard
Test Condition 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3

Datasheet de referencia