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16905
Nuevo producto
Código: ICGS
Tipo: IRF1010NS
Marcado como: F1010NS
Origen China
Marca Generica
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Mosfet Irf1010ns Chn 55v 85a Genérico D2pak Itytarg
Canal N Montaje en superficie 55 V 85 A (Tc) 180W (Tc) D2PAK
Los MOSFET de potencia avanzados utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de acomodar tamaños de troquel hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en cualquier paquete de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF1010NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 85 A (Tc)
Disipación de potencia (Máx.) 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK