Irf640ns Mosfet Generico Chn 200v 18a D2pak Itytarg

Irf640ns Mosfet Genérico Chn 200v 18a D2pak Itytarg

Canal N Montaje en superficie 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) D2PAK

Los MOSFET de potencia utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2Pak es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de acomodar tamaños de troquel hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en cualquier paquete de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF640NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK

Datasheet de referencia