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Nuevo producto
Cod: ICGS
Marca: Genérico
Origen: China
Marcado como: H9JAB
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Número de Parte: IRLML5203GPBF
Código: H*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 71 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.098 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML5203GPBF