16654
Nuevo producto
Cod: ICGS
Marca: genérico
Origen: China
Repuesto de notebook
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Número de Parte: QM3003M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.67 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 11.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 194 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: PRPAK3X3