16565
Nuevo producto
Cod: ICGS
Marca: Genérica
Origen: China
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Número de Parte: AON6554
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Tiempo de subida (tr): 4.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 880 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6