16564
Nuevo producto
Cod: ICGS
Marca: Genérico
Origen: China
Repuesto de notebook
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Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de potencia (Pd): 23 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de subida (tr): 24.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 436 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
Datasheet de referencia