Fqd12n20l Mosfet Chn 100v 9a Dpak Itytarg

Fqd12n20l Mosfet Chn 100v 9a Dpak Itytarg

Canal N Montaje en superficie 200 V 9 A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) TO-252AA

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 280mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1080 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie 
Paquete del dispositivo del proveedor  TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de producto base FQD12N20

Datasheet de referencia