Mosfet Chn 60n65 650v 60a To247 Itytarg

Tipo FET

Características 

• Paquete estándar internacional 
• Bajo RDS (ON) y QG
• Calificación de avalancha
• Paquete de baja inductancia

Ventajas 

• Densidad de alta potencia 
• Fácil de montar
• Ahorro de espacio

Tecnología de canal N MOSFET (óxido de metal)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
Corriente de 650 V - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Rds máximo encendido, Rds mínimo encendido) 10 V
Rds encendido ( Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) ( Máx.) a Vds 6300 pF a 25 V
Disipación de potencia (máx.) 780 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Agujero
pasante Paquete/caja TO-247-4

Ficha de datos