Ao4712 Mosfet Chn 30v 13a Soic8 Itytarg

Canal N Montaje en superficie 30 V 13 A (Ta) 3.1W (Ta) 8-SOIC

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13 A (Ta)
Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)

Datasheet de referencia