Ao4466 Mosfet Chn 30v 10a Soic8 Generico Itytarg

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 11.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 3.1 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 118 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.023 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOIC-8

Datasheet de referencia