El IR2117es unMOSFETde canal únicoeIGBTcontroladorcuenta con propiedades HVIC detecnologías CMOSinmunes que permite la construcción robusta.Laentrada lógicaescompatible consalidasCMOS estándar.Elcontrolador de salidacuenta conuna etapabuffer actual depulso altodiseñado parala conduccióntransversal mínima.El canalflotantese puede utilizar paraconducir unMOSFET de potenciade canal NoIGBTen elalta odel lado de bajaconfiguraciónque operahasta 600V.
Controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje
Canal flotante diseñado para operación bootstrap
Totalmente operativo a + 600V
Tolerante a voltaje transitorio negativo dV / dt inmune
Rango de suministro de accionamiento de puerta de 10 a 20 V
Bloqueo por subtensión
Entradas activadas por CMOS Schmitt con pull-down
Las tecnologías patentadas HVIC y CMOS inmune a pestillos permiten una construcción monolítica resistente