100 X Diodo Switching 1n4148 75v 200ma 4ns Do35 T/h Itytarg

El 1N4148 es uno de los diodos de conmutación para señales de silicio mas conocidos y de más larga vida debido a su fiabilidad y al bajísimo costo de producción. Gracias al tiempo de recuperación inversa de solo 4 nanosegundos puede ser usado en aplicaciones de conmutación con frecuencias bastante elevadas, hasta 100MHz.
El 1N4148 reemplazó al 1N914, legendario diodo de silicio, usado antiguamente en muchísimos dispositivos y proyectos.

El encapsulado más conocido del 1N4148 es el epitaxial de vidrio trasparente llamado DO-35. También existe otra versión de vidrio llamada miniMELF, con dos discos metálicos en lugar de las patas y que se usa para montaje superficial (SMD). Otra variante para montaje superficial es el 1N4148W, con encapsulado plástico SOD-123. Los distintos encapsulados, con sus dimensiones podemos verlos en la figura siguiente.

La corriente continua máxima que el 1N4148 puede soportar es de 300mA. Puede tolerar picos de hasta 2A pero con duraciones menores de 1uSeg. La tensión inversa máxima continua es de 75V o, en el caso de impulsos breves, de 100V.

La caída de tensión cuando el diodo conduce es de 0,7V con una corriente de 1mA y aumenta a 1V con una corriente de 10mA. Por sus características, este diodo podría ser usado como supresor de transitorios cuando controlamos cargas inductivas como por ejemplo en paralelo con la bobina de los relés.

Absolute maximum ratings (stress ratings, consult datasheet for recommended ratings)^[7]

• V_RRM = 100 V  (maximum repetitive reverse voltage)
• I_O = 200 mA  (average rectified forward current)
• I_F = 300 mA  (DC forward current)
• I_f = 400 mA  (recurring peak forward current)
• I_FSM = 1 A at 1 s pulse width; 4 A at 1 µs pulse width (non-repetitive peak forward surge current)

Electrical and thermal characteristics^[7]

• V_F = 1 V at 10 mA (maximum forward voltage)^[17]
• V_R = 75 V at 5 µA; 100 V at 100 µA (minimum breakdown voltage and reverse leakage current)
• t_rr = 4 ns (maximum reverse-recovery time)
• P_D = 500 mW (maximum power dissipation)