Mosfet Chn Ixfq30n60x 30n60 Hiperfet 600v 30a 500w Itytarg

Tipo FETCanal N 

Tecnología   MOSFET (óxido de metal)   

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)600V

Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC   30 A (Tc)   

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)  10 V 

Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C  155 mOhm a 15 A, 10 V  

Vgs(th) (máx.) en Id   4.5 V a 4 mA 

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs   56nC @ 10V  

Vgs (máx.)   ±30 V   

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds2270pF @ 25V   

Característica de FET- 

Disipación de potencia (máx.)   500 W (Tc)

Temperatura de operación  -55 °C ~ 150 °C (TJ)  

Tipo de montaje   Orificio pasante   

Paquete del dispositivo del proveedorTO-3P  

Paquete / Caja (carcasa)TO-3P-3, SC-65-3

Datasheet