Irf640n Mosfet Chn 200v 18a To220 Itytarg

Irf640n Mosfet Chn 200v 18a To220 Itytarg

Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id - Corriente de drenaje continua: 18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 150 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 20 V
Qg - Carga de puerta: 44.7 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 150 W
Configuración: Single
Modo canal: Enhancement
Empaquetado: Tube
Altura: 15.65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tecnología de proceso avanzada l Clasificación dinámica dv/dt l Temperatura de funcionamiento de 175 °C l Conmutación rápida l Totalmente clasificado para avalanchas l Facilidad de conexión en paralelo l Descripción de requisitos de accionamiento simple

Los MOSFET de potencia HEXFET ® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. El es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de acomodar tamaños de troquel HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de encendido más baja posible en cualquier paquete de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disiparse en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF640NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.

Corriente de drenaje continua, VGS a 10 V Corriente de drenaje continua, VGS a 10 V Corriente de drenaje pulsada Disipación de potencia Factor de reducción lineal Voltaje de puerta a fuente Energía de avalancha de pulso único Corriente de avalancha Energía de avalancha repetitiva Recuperación máxima de diodo dv/dt Rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa Soldadura Temperatura, durante 10 segundos Torque de montaje o tornillo M3

RDS(on) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) LD LS Ciss Coss Crss
Parámetro Tensión de ruptura entre drenaje y fuente Temp. Coeficiente Estático Drenaje a fuente En resistencia Umbral de puerta Voltaje Transconductancia directa Drenaje a fuente Corriente de fuga Puerta a fuente Fuga directa Puerta a fuente Fuga inversa Carga total de puerta Carga de puerta a fuente Puerta a drenaje ("Miller") Carga Tiempo de retardo de encendido Tiempo de subida Tiempo de retardo de apagado Tiempo de caída Inductancia de drenaje interno Inductancia de fuente interna Capacitancia de entrada Capacitancia de salida Capacitancia de transferencia inversa

máx. Unidades Condiciones V VGS = 250µA V/°C Referencia 1mA 0.15 VGS 4.0 V VDS = VGS, 250µA S VDS 11A 25 VDS = 200V, VGS µA 250 VDS = 160V, VGS 150°C 100 VGS nA -100 VGS 11 nC VDS 160V 33 VGS = 10 V, consulte la Fig. 6 y 13 VDD = 9,0, consulte la Fig. 10 D Entre el conductor, nH G del paquete y el centro del contacto de matriz S VGS = 0 V VDS = 1,0 MHz, consulte la Fig. 5

Parámetro Fuente de corriente continua (diodo del cuerpo) Fuente de corriente pulsada (diodo del cuerpo) Voltaje directo del diodo Tiempo de recuperación inversa Carga de recuperación inversa Tiempo de encendido directo

Condiciones D MOSFET símbolo 18 que muestra el diodo de unión 72 S pn inverso integral AG. = 11A, VGS 1394 nC di/dt = 100A/µs El tiempo de encendido intrínseco es insignificante (el encendido está dominado por LS+LD)