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MLA637153450
Nuevo producto
Cod: KDY
Tipo: STP10NK80Z
Origen: USA
Marca: STMicroelectronics
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Fabricante |
STMicroelectronics |
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Tipo FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800V |
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC | 9 A (Tc) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10 V |
Vgs(th) (máx.) en Id | 4.5 V a 100 µA |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2180pF @ 25V |
Característica de FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 190 W (Tc) |
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C | 900 mOhm a 4.5 A, 10 V |
Temperatura de operación | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaje | Orificio pasante |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja (carcasa) | TO-220-3 |