Mosfet Chn Irfp250 200v 30a 190w To247 Itytarg

Mosfet Chn Irfp250 200v 33a 190w To247 Itytarg

Canal N 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Orificio pasante TO-247AC

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan
técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio,
combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los
MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un
dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-247 se prefiere para aplicaciones comerciales e industriales donde
los niveles de potencia más altos impiden el uso de dispositivos TO-220. El TO-247 es similar
pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su soporte de montaje aislado.

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 123nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2159pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3

Datasheet