Igbt Fgl40n120 40n120 1200v 64a 500w To264 Itytarg

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El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A
Power - Max 500W
Switching Energy 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 220nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/110ns
Test Condition 600V, 40A, 5 Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package TO-264

Datasheet