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Transistor IGBT
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Transistor bipolar de puerta aislada o Transistor IGBT
IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg
Modulo de tres transistores IGBT, modelo CM1200HC-66H de Mitsubishi para una máxima capacidad de 3300V/1200A
Tipo semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto campo y transporte de portadores
Invención Yamagami y Akakiri (1968)
Símbolo electrónico
IGBT symbol.gif
Terminales Puerta (G), colector (C) y emisor (E)
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El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Current - Collector (Ic) (Max) 51A
Current - Collector Pulsed (Icm) 204A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A
Power - Max 200W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 160nC
Td (on/off) @ 25°C 29ns/110ns
Test Condition 720V, 28A, 5 Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AC