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Mosfet Chn 25n06 Ipd25n06s 55v 29a To252 Usa Itytarg

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Tipo: IPD25N06S240ATMA2

Marca: Infineon Technologies

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Mosfet Chn 25n06 Ipd25n06s 55v 29a To252 Itytarg

Canal N Montaje en superficie 55 V 29 A (Tc) 68W (Tc) PG-TO252-3-11

Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 40mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 26µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 513 pF @ 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de producto base IPD25N06

Datasheet

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