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Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM no volátil)
Capacidad de memoria 256 Kb (32 K x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 70 ns
Tiempo de acceso 70ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 4.75 V ~ 5.25 V
Temperatura de operación 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) Módulo 28-DIP (0.600", 15.24 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 28-EDIP