Am29f010b-90jc Memoria Flash 1mb Automotriz 90ns Plcc32 Itytarg

14943

Nuevo producto

Cod. IYA

Tipo: AM29F010B90JC

Marcado Como: AM29F010B-90JC

Origen China

Marca Generica

Memoria utilizada en vehiculos

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$ 11.640,00 IVA Inc.

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Am29f010b-90jc Memoria Flash 1mb 90ns Plcc32 Itytarg

GENERAL DESCRIPTION

El Am29F010B es una memoria Flash de 1 Mbit y 5,0 voltios organizada en 131 072 bytes. El Am29F010B se ofrece en paquetes PDIP, PLCC y TSOP de 32 pines. Los datos de todo el byte aparecen en DQ0-DQ7. El dispositivo está diseñado para programarse en el sistema con el sistema estándar de suministro VCC de 5,0 voltios. No se requiere un VPP de 12,0 voltios para programar o borrar operaciones.

El dispositivo también se puede programar o borrar en programadores estándar de EPROM. Este dispositivo está fabricado con la tecnología de proceso de 0,32 µm de AMD y ofrece todas las funciones y ventajas de Am29F010 y Am29F010A.

El dispositivo estándar ofrece tiempos de acceso de 45, 55, 70, 90 y 120 ns, lo que permite que los microprocesadores de alta velocidad funcionen sin estados de espera. Para eliminar la contención del bus, el dispositivo tiene controles independientes de habilitación de chip (CE#), habilitación de escritura (WE#) y habilitación de salida (OE#).

El dispositivo requiere solo una fuente de alimentación de 5,0 voltios para las funciones de lectura y escritura. Se proporcionan voltajes generados y regulados internamente para las operaciones de programa y borrado.

El dispositivo es completamente compatible con el conjunto de comandos con el estándar Flash de fuente de alimentación única JEDEC. Los comandos se escriben en el registro de comandos utilizando tiempos de escritura de microprocesador estándar. El contenido del registro sirve como entrada a una máquina de estado interna que controla el borrado y el circuito de programación. Los ciclos de escritura también bloquean internamente las direcciones y los datos necesarios para las operaciones de programación y borrado. La lectura de datos del dispositivo es similar a la lectura de otros dispositivos Flash o EPROM.

La programación del dispositivo se produce mediante la ejecución de la secuencia de comandos del programa. Esto invoca el algoritmo del programa incorporado, un algoritmo interno que cronometra automáticamente los anchos de pulso del programa y verifica el margen de celda adecuado.

El borrado del dispositivo ocurre al ejecutar la secuencia de comando de borrado. Esto invoca el algoritmo Embedded Erase, un algoritmo interno que preprograma automáticamente la matriz (si aún no está programada) antes de ejecutar la operación de borrado. Durante el borrado, el dispositivo cronometra automáticamente los anchos de pulso de borrado y verifica el margen de celda adecuado.

El sistema host puede detectar si una operación de programa o de borrado está completa al leer los bits de estado DQ7 (Data# Polling) y DQ6 (alternar). Después de que se haya completado un programa o un ciclo de borrado, el dispositivo está listo para leer los datos de la matriz o aceptar otro comando.

La arquitectura de borrado de sectores permite borrar y reprogramar sectores de memoria sin afectar el contenido de datos de otros sectores. El dispositivo se borra cuando se envía de fábrica. Las medidas de protección de datos de hardware incluyen un detector de VCC bajo que inhibe automáticamente las operaciones de escritura durante las transiciones de energía.

La función de protección del sector del hardware desactiva las operaciones de programa y borrado en cualquier combinación de los sectores de la memoria, y se implementa utilizando programadores de EPROM estándar. El sistema puede colocar el dispositivo en el modo de espera. El consumo de energía se reduce considerablemente en este modo.

La tecnología Flash de AMD combina años de experiencia en la fabricación de memorias Flash para producir los más altos niveles de calidad, confiabilidad y rentabilidad. El dispositivo borra eléctricamente todos los bits dentro de un sector simultáneamente a través de túneles Fowler-Nordheim. Los bytes se programan byte a byte usando el mecanismo de programación EPROM de inyección de electrones calientes.

Categoría de producto: Memoria flash
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PLCC-32
Serie: AM29F010B-90JC
Tamaño de memoria: 1 Mbit
Tipo de interfaz: Parallel
Organización: 128 k x 8
Tipo de tiempo: Asynchronous
Ancho de bus de datos: 8 bit
Voltaje de alimentación - Mín.: 4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.: 5.5 V
Corriente de suministro - Máx.: 30 mA
Temperatura de trabajo mínima: 0 C
Temperatura de trabajo máxima: + 70 C
Velocidad: 90 ns
Arquitectura: Sector

Fotos ilustrativas

Datasheet de referencia

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