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MLA619645396
Nuevo producto
Cod: KDY
Tipo: IRF9Z34NPBF
Origen: USA
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Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB