09352
Nuevo producto
Cod: KDY
Origen: USA
Marca: ST Microelectronics
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Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 550mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 256nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3