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Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria EERAM
Tecnología EEPROM, SRAM
Capacidad de memoria 16 Kb (2 K x 8)
Frecuencia de reloj 1MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 1 ms
Tiempo de acceso 400ns
Interfaz de memoria I²C
Voltaje de la fuente 4.5 V ~ 5.5 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) 8-DIP (0.300", 7.62 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDIP